格子欠陥フォーラムプログラム

第３２回：「reunion」 【 2023年9月16日（土）開催！ 】
第３１回：「GoTo実験室 格子欠陥研究の装置・人・トピックの新しい交流をめざして」
第３０回：「格子欠陥の現在そして広がる未来　”これまでの20年とこれからの20年”　”格子欠陥とアート”」
第２９回：「格子欠陥とマテリアルズ・インフォマティクス」
第２８回：「格子欠陥研究における理論・実験・計算の最前線」
第２７回：「格子欠陥による摩擦・摩耗特性の制御」
第２６回：「格子欠陥材料のマルチスケール計算科学」
第２５回：「材料の強化と劣化のサイエンス」
第２４回：「」
第２３回：「電池材料中の格子欠陥」
第２２回：「材料科学のための欠陥制御・評価」
第２１回：「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題」
第２０回：「格子欠陥による物質の機能性劣化と機能性制御」
第１９回：「半導体格子欠陥の最前線」
第１８回：「欠陥研究、その明日への挑戦」
第１７回：「Forum of Lattice Defects」
第１６回：「様々な物質の中で見られる格子欠陥 ～金属、半導体から液晶、タンパク質まで～」
第１５回：「原子・電子レベルで観る格子欠陥・ナノ構造」
第１４回：「固体強度に関するモデリングとシミュレーション　－最近の発展から－」
第１３回：「原子・分子操作を用いた欠陥・ナノ構造の制御」
第１２回：「21世紀の格子欠陥研究に残された課題」
第１１回：「高欠陥濃度状態」
第１０回：「これから２０年の格子欠陥研究 & 実空間・実時間で格子欠陥を視る」
第　９回：「固体中の原子ジャンプ及び拡散」
第　８回：「シリコン炭素系物質中の格子欠陥」
第　７回：「格子欠陥の原子・電子描像」
第　６回：「転位；現状と将来の展望」
第　５回：「ナノ結晶、メゾスコピック系物質の物性と格子欠陥」
第　４回：「点欠陥の動的挙動を中心として」
第　３回：「格子欠陥物理の新展開」
第　２回：「半導体プロセスと格子欠陥」
第　１回：「格子欠陥21世紀の課題」

第３２回：2023.09.16（東北大学金属材料研究所2号館会議室 + オンライン聴講Zoom）松川義孝（熊本大学），吉田健太（東北大学金属材料研究所），近藤創介（東北大学金属材料研究所）
共催　東北大学金属材料研究所

　

reunion

 　
2023.09.16 (土) 9:00-17:20
　1. 格子欠陥と耐摩耗性（仮題）（東北大学未来科学技術共同研究センター　千葉晶彦）
　2. 格子欠陥と延性―脆性遷移（仮題）（九州大学　田中將己）
　3. 格子欠陥と粒界破壊（仮題）（東北大学金属材料研究所　宮本吾郎）
　4. 格子欠陥と第一原理計算（仮題）（原子力機構　山口正剛）
　5. 格子欠陥と原子レベル解析Ⅰ： 電子状態と制御（仮題）（分子科学研究所　湊 丈俊）
　6. 格子欠陥と原子レベル解析Ⅱ： 量子的相互作用（仮題）（九州工業大学　河野翔也）
　7. 格子欠陥とグリーンイノベーション・グリーントランスフォーメーション（産業総合技術研究所　田中真悟）
　8. 格子欠陥と2D材料（仮題）（群馬大学　Md Zakir Hossain）
　9. 格子欠陥とダイナミクス（仮題）（東北大学材料科学高等研究所　義永那津人）
　10. 格子欠陥とナノ水滴（仮題）（金沢大学　荒木優希）　
　11. 格子欠陥と原子力（仮題）（東北大学金属材料研究所　近藤創介）
　12. 21世紀の格子欠陥研究に残された課題2003から20年（関西学院大学　西谷滋人）

参加費は無料です。
対面が基本ですがZoomで聴講することも可能です。
Zoomは聴講専用です。アクセス情報はこちらから☞ zoomのアクセス情報
パスワードはlattice-defects-forumです。
どなたでも参加できます。学生さん大歓迎です。
お問い合わせは松川が承っております（ym2(at)msre.kumamoto-u.ac.jp）。


第３１回：2021.09.27-28（オンライン Zoom）近藤創介（東北大学金属材料研究所），鈴木凌（横浜市立大学）
後援　日本原子力学会，東北大学金属材料研究所，自然科学研究機構分子科学研究所

　

GoTo実験室 格子欠陥研究の装置・人・トピックの新しい交流をめざして

 　
2021.09.27 (月) 13:00-18:10
　1. 構造材料の照射損傷組織から得られる点欠陥の移動度に関する研究（北海道大学　橋本 直幸）
　2. 複合ビーム材料照射置DuETを用いた原子炉・核合炉材料研究（京都大学　藪内 聖皓）
　3. 電子顕微鏡その場観察・解析によるサブミクロン金属薄膜の変形・破壊の評価（大阪大学　近藤 俊之）
　4. 超微小引張試験法を用いた原子炉材料の照射劣化に関する研究（株式会社原子力安全システム研究所　三浦 照光）
　5. 格子欠陥と転位の相互作用過程のその場観察：転位によらない塑性変形（桐谷プロジェクト2001）のその後（熊本大学　松川 義孝）
　6. Developments of infrared superresolution microscopy using sum-frequency generation（Fritz Harber Institute　Sören Waßerroth）

2021.09.28 (火) 09:00-14:55
　1. 原子力材料における中性子照射効果の研究 ー大学での材料照射の現場からー （東北大学　外山 健）
　2. 放射光X線マルチスケールCTで見る焼結プロセスにおける欠陥形成と強度信頼性（物質・材料研究機構　大熊 学）
　3. サファイヤにおける菱面双晶変形の原子論的メカニズムに関する研究（東京大学　栃木 栄太）
　4. 走査型透過軟X線顕微鏡による高分解能化学状態解析（分子科学研究所　大東 琢治）　
　5. 中性子回折による金属ナノ粒子水素化物の構造研究（東京大学　秋葉 宙）
　6. チタン合金のオメガ変態およびそれに起因した原子シャッフリングの動的挙動（大阪市立大学　多根 正和）

参加申し込みはこちらから☞ 申し込みフォーム
※当日のZoom会場URLは参加登録後にお知らせいたします。


第３０回：2020.12.12-13（オンライン）湊丈俊（自然科学研究機構分子科学研究所），秋葉宙（東京大学物性研究所）
共催　京都大学学際融合教育研究推進センター芸術と科学リエゾンライトユニット
後援　京都大学学際融合教育研究推進センター分野横断プラットフォーム構築事業，環境芸術学会, 自然科学研究機構分子科学研究所

　

格子欠陥の現在そして広がる未来　”これまでの２０年とこれからの２０年”　”格子欠陥とアート”

 　
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2020.12.12　これまでの２０年とこれからの２０年　　　【参考】　第１０回格子欠陥フォーラム　これから２０年あなたは何をしますか？

座長：新潟大　家富洋
　1. 趣旨説明　格子欠陥の現在そして広がる未来（分子研　湊丈俊）
　2. 格子欠陥・粒界・界面・乱れた系の計算科学：局所エネルギー・局所応力の第一原理計算法開発（産総研　香山正憲）
座長：関学大　西谷滋人
　3. 第一原理計算がお手軽にできるようになって（九大応力研　大沢一人）
　4. 格子欠陥の謎は深まる：断熱近似を超えたところで（阪大ナノサイエンスデザイン教育研究センター　竹田精治）
座長：電中研　前田康二
　5. 高エネルギーイオンビーム照射効果研究ーこの２０年でやれたこと、やれなかったことー（若狭湾エネルギー研究センター　岩瀬彰宏）
　6. 格子欠陥とLSIとAI・IoTとスマートシティ（NEC　望月康則）
座長：産総研　李哲虎
　7. エネルギー・環境材料における格子欠陥・ナノ構造（産総研　田口昇）
　8. 粒界物性研究に向けた計算科学と情報科学の融合（名工大　田村友幸）
　9. 透過電子顕微鏡を用いた照射欠陥評価法の進展：TEMからSTEMへ（東北大金研　吉田健太）


2020.12.13　格子欠陥とアート

座長：東京藝大／京都市芸大　田中ゆり
　1. 開会挨拶　格子欠陥とアート（京大院工　富田直秀）
　2. 結晶は生きている：結晶が形作る美しい成長パターン（北大低温研　佐﨑元）
　3. 格子欠陥からイメージしたキャラクターデザイン（イラストレーター／九産大　谷口亮）
　4. 人工知能による格子欠陥の内挿的学習（東大生産研　溝口照康）　
　5. 刹那的抽象表現における格子欠陥（山海塾　石井則仁）
座長：九大院芸工／ピノー　松本祐典
　6. 規則性と不規則性を活かす分子濃縮系としての生命現象：分子集合体科学の視点で考える（九大院工／九大分子システム科学センター／九大未来化学創造センター　岸村顕広）
　7. 格子欠陥の立体表現（PICFA　本田雅啓，原田啓之）
　8. 金属の中の格子欠陥 -マグネシウム合金中の界面と転位-（同志社大理工　湯浅元仁）
　9. 格子欠陥に参ずる -負の情緒-（日本画家　石田翔太）
 10. 個別討論
 11. 閉会挨拶（東大物性研　秋葉宙）

第２９回：2019.9.14-15（豊田工業大学）森英喜（産業技術短期大学 ）, 吉田健太（東北大学）

　

格子欠陥とマテリアルズ・インフォマティクス

 　
  1. 医薬文献からの知識抽出とその活用に向けて（豊田工業大学　三輪誠）
  2. 画像の超解像による微小構造解析の可能性（豊田工業大学　浮田宗伯 ）
  3. 機械学習による物質・材料研究の具体事例紹介（物質材料研究機構　田村亮 ）
  4. 「実験と情報科学の融合による材料設計 : 生体材料分野における現状と我々の挑戦」（東京工業大学　林智広）
  5. Data driven properties to microstructure to processing inverse analysis for use in materials design（名古屋大学　Zhi Lei Wang）
  6. 機械学習と実験スクリーニング法による次世代エネルギー変換材料の開発（大阪大学　佐伯昭紀）
  7. 鉄鋼の無拡散変態によって導入される転位密度の温度・組成依存性（名古屋大学　塚田祐貴）
  8. 結晶界面インフォマティクスの最近の進展（東京大学　溝口照康）
  9. インフォマティクスを導入した密度汎関数理論の開発（早稲田大学　清野淳司）
  10. 一般粒界の物性解析に向けたニューラルネットワーク駆動型分子シミュレーション（名古屋大学　横井達矢）
  11. 電荷移動型原子間ポテンシャルの開発と SiC 結晶の界面・表面反応への適用（東京大学　高本聡）
  12. Local stress calculations in the framework of machine learning potential（豊田工業大学　Ivan Lobzenko）
  13. 機械学習アプローチに基づく原子構造体の機能性評価（東京大学　久保淳）
  14. 「固体中の原子ダイナミクス解析のためのニューラルネットワーク原子間ポテンシャル」（東京大学　渡邉聡）

第２８回：2018.9.7-8（大阪大学吹田キャンパス 材料開発物性記念館研修室）松中大介（信州大学）, 佐藤和久（大阪大学）

　

格子欠陥研究における理論・実験・計算の最前線

 　
  1. 原子弾性剛性係数の固有ベクトルによる不安定モード解析（岐阜大学　屋代如月）
  2. ガラスと液体の素励起に関する物理（大分大学　岩下拓哉）
  3. 非局所弾性体の数理とその格子欠陥力学解析への応用（大阪大学　垂水竜一）
  4. 配位空間上の幾何学から再構築する統計力学と材料科学への応用（京都大学　弓削是貴）
  5. 蛍光Ｘ線ホログラフィー：不純物まわりの原子配列イメージング（名古屋工業大学　木村耕治）
  6. 電子線/アトムプローブトモグラフィーを駆使した中性子照射誘起格子欠陥のひずみ/組成の３次元定量（東北大学　吉田健太）
  7. 化学機械研磨プロセスにおけるマルチフィジックス現象の計算科学シミュレーションによる解（東北大学　尾澤伸樹）
  8. マグネシウム合金における変形能と活動する塑性変形機構の関係（弘前大学　峯田才寛）
  9. ペロブスカイト型酸化物における格子欠陥の破壊と電子物性に関する第一原理解析（京都大学　嶋田 隆広）

第２７回：2017.9.25-26（東京大学生産技術研究所）椎原良典（豊田工業大学）, 田口昇（産業技術総合研究所）
協賛：日本機械学会（予定），日本金属学会（予定）

　

格子欠陥による摩擦・摩耗特性の制御

 　
  1. トライボロジーにおける固液界面分析の重要性と将来展望（同志社大学　平山朋子）
  2. 摩擦新生面の化学活性とトライボロジー特性との関係（岩手大学　森誠之，一関高専　滝渡幸治）
  3. 鋼の切削トライボロジー―移着層形成と工具損傷機構に及ぼす合金元素の影響―（新日鐵住金　曽利治）
  4. クラスター・ナノ析出物による鉄鋼材料の表面硬化（東北大学　宮本吾郎）
  5. Fe 中の C/N と溶質原子の相互作用（東北大学　榎木勝徳）
  6. イオンビームスパッタにより作製した鉄膜の摩擦摩耗特性（豊橋技術科学大学　足立望）
  7. 走査プローブ顕微鏡法による摩擦、摩耗現象の検討（新日鐵住金　香月太）
  8. 強ひずみ加工によりナノ組織化した鉄鋼材料の潤滑油中における摩擦・摩耗特性（豊橋技術科学大学　戸高義一）
  9. 中性子・Ｘ線反射率法による固液界面評価とダイナミクス（京都大学　日野正裕）
  10. 小角散乱法による金属組織の評価（日本原子力研究開発機構　大場洋次郎）
  11. 巨大ひずみ加工を施した極低炭素鋼における潤滑油反応膜の電子顕微鏡解析（九州大学　光原昌寿）
  12. ナノ組織金属表面／潤滑剤高分子系の摩擦挙動に関する粗視化分子動力学解析（東京大学　梅野宜崇）

第２６回：2016.9.8-9.9（京都 コープイン京都）弓削是貴（京都大学），河野日出夫（高知工科大学）
協賛：日本物理学会（予定），日本金属学会

　

格子欠陥材料のマルチスケール計算科学

 　
  1. 計算材料科学の発展：これまでの経験と第一原理局所エネルギー・局所応力法開発（産総研　香山正憲）
  2. 第一原理計算と機械学習手法を使った材料物性予測（京都大　世古敦人）
  3. 原子スケールでの非線形振動・ダイナミクス（大阪大　土井祐介）
  4. マグネシウム合金における格子欠陥の第一原理計算（信州大　松中大介）
  5. 格子欠陥近傍応力場を解明する第一原理原子応力計算法の開発（豊田工業大　椎原良典）
  6. QSGW法（準粒子自己無撞着GW法）の物質科学への応用（鳥取大　小谷岳生）
  7. 内殻X線吸収分光と第一原理計算によるナノ構造解析（大阪府立大　池野豪一）
  8. 計算機によるフォノン計算：ソフトウェア開発から応用まで（京都大　東後篤史）
  9. フェーズフィールド法を用いた合金中の組織形成と界面編析の研究（東北大　小泉雄一郎）
  10. 電子論に基づく鉄中のらせん転位-固溶原子の相互作用解析（大阪大　譯田真人）

第２５回：2015.9.14-9.15（大阪 大阪大学基礎工学部 ナノサイエンスデザイン教育研究センター）君塚肇（大阪大学），若生啓（横浜創英大学）
共催：日本金属学会，日本材料学会，新学術領域研究「シンクロLPSO」若手人材育成部会

　

材料の強化と劣化のサイエンス

 　
  1. 結晶の強度はどこまで解明されたか―現状と将来（東京理科大　竹内伸）
  2. 高エネルギー荷電粒子照射による合金材料の硬度制御（大阪府立大　岩瀬彰宏）
  3. 金属材料中の格子欠陥と水素脆化（上智大　高井健一）
  4. 原子炉材料の中性子照射脆化機構（東北大金研　永井康介）
  5. 鉄における溶質原子間の相互作用―現状と課題（大阪府立大　沼倉宏）
  6. ナノ析出組織を利用した鉄鋼材料の高強度化と高延性化（弘前大　紙川尚也）
  7. 転位と不純物の相互作用の第一原理計算（日本原研　板倉充洋）
  8. α鉄における格子欠陥と水素の相互作用解析 ～空孔・表面・転位・粒界と水素～（京大　松本龍介）

第２３回：2013.9.23-9.24（兵庫 淡路夢舞台国際会議場）田村友幸（名工大）、水野正隆（阪大院工）
共催：名古屋工業大学若手研究イノベータ養成センター

　

電池材料中の格子欠陥

 　
  1. Liイオン電池の高性能化に向けた材料開発の動向（神奈川大　佐藤祐一）
  2. TEM-EELS法による電池材料解析（物材機構　吉川純）
  3. Liイオン電池電極材料の表面科学（産総研　橘田晃宜）
  4. 第一原理計算と電気化学測定によるLiイオン電池電極表面の素過程解析（名工大　中山将伸）
  5. 電極表面上の欠陥が電気化学反応に与える影響：第一原理シミュレーションから分かること（産総研　大谷実）
  6. 燃料電池：格子欠陥が動いて機能するデバイス（九州大　佐々木一成）
  7. 第一原理計算による局所エネルギー・応力解析を用いた電池材料中の格子欠陥（産総研　田中真悟）
  8. ミュオンで視る固体内イオン拡散（豊田中研　杉山純）
  9. ナノ構造解析と第一原理計算の連携によるLiイオン二次電池材料の研究（JFCC　森分博紀）
  10. ベータNMRによる固体内イオンの挙動観察（大阪大　三原基嗣）
  11. 淡路島－地域・地場の情景と情趣（フリーカメラマン・淡路瓦師　山田脩二）

第２２回：2012.9.21-9.22（神奈川 マホロバ・マインズ三浦）三原基嗣（阪大院理）、山下義文（岡山大）
共催：応用物理学会励起ナノプロセス研究会　篠塚雄三（和歌山大）、目良裕（東大物工）
　　　　理研シンポジウム　小林義男（理研）

　

材料科学のための欠陥制御・評価

 　
バルク・薄膜結晶成長と欠陥制御
  1. 液状B2O3 で覆った融液から育成したCZ-Ge 結晶中の欠陥評価（信州大　太子敏則）
  2. 太陽電池用シリコン系結晶における歪み・欠陥制御（東北大　宇佐美徳隆）
  3. ナノドットを用いて歪制御したSi 基板上への高品質エピタキシャル薄膜成長法（大阪大　中村芳明）
  4. イオン注入によるSiGe ヘテロ構造の欠陥および歪み制御（東京都市大　澤野憲太郎）
欠陥反応
  1. 半導体発光デバイスの再結合促進欠陥反応による劣化（金沢工業大　上田修）
  2. III-V、II-V 半導体での再結合促進欠陥反応（鳥取大　安東孝止）
  3. 半導体中の欠陥反応の機構 .phonon-kick 機構を中心に（和歌山大　篠塚雄三）
  4. InN のバンド端発光の低減におけるフォノン放出による非輻射性再結合過程（千葉大　石谷善博）
酸化亜鉛
  1. 酸化亜鉛透明導電膜における格子欠陥誘導の電気・光学・耐湿特性の制御（高知工科大　山本哲也）
  2. 酸化亜鉛中に導入した不純物位置での局所構造観察（金沢大　佐藤渉）
陽電子・核プローブによる欠陥評価
  1. 陽電子消滅法による欠陥評価（大阪大　荒木秀樹、水野正隆　京都大　白井泰治）
  2. インビームメスバウアー分光による新規化学形態探索（理研　小林義男）
  3. 核反応チャネリング法で金属中の水素の存在状態を観る（理研/早稲田大　八木栄一）
IV族結晶中欠陥評価
  1. 電力デバイス用SiＣ単結晶中の拡張欠陥（関西学院大　大谷昇）
  2. 融液からのシリコン成長における引き上げ速度と温度勾配 －理論からのアプローチ（大阪大　白井光雲）
  3. 単結晶シリコン育成中の点欠陥挙動に与える熱応力の影響（岡山県立大　末岡浩治）
電子・粒子線による欠陥制御と評価
  1. Develop in-situ capabilities for high time resolution studies in the Dynamic Transmission Electron Microscope (DTEM)（Lawrence Livermore National Laboratory　Nigel D. Browning）
  2. ナノワイヤのジュール加熱による構造変化のTEM その場観察（大阪大　河野日出夫）
  3. シリコン薄膜単結晶による高速重イオンの共鳴電子励起（理研/首都大　東俊行）

第２１回：2011.9.19-9.20（富山 立山国際ホテル）田中真悟（産総研ユビキタスエネルギー）、大野裕（東北大金研）、西谷滋人（関西学院大理工）

　

格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題

 　
太陽電池
  1. 太陽電池用Si結晶中の不純物と欠陥のフォトルミネッセンス評価（JAXA　田島道夫）
  2. 太陽電池用半導体結晶とＡＦＭ（東京大　高橋琢二）
  3. 太陽電池用半導体結晶の光学特性評価（宮崎大　福山敦彦）
  4. 自己修復する不老不死のスピノダルナノ分解自己組織化ナノ超構造高効率太陽電池材料（大阪大　吉田博）
水素
  1. ミューオンを用いた半導体中水素の研究（KEK　下村浩一郎）
  2. SiGe膜中の水素特性と転位運動に関する不純物効果（岡山大　山下義文）
原子力材料
  1. 高エネルギー粒子による原子力材料の照射欠陥の生成過程（京都大　義家敏正）
  2. 高速重イオン照射による原子力材料の特性分析（大阪府立大　岩瀬彰宏）
  3. 発電プラントにおける格子欠陥の影響と評価（京都大　井上耕治）
炭素系材料
  1. 電力用SiCパワーダイオードの劣化問題（東京大　前田康二）
  2. ナノカーボン材料の破壊と創製を誘発する格子欠陥の役割（兵庫教育大　庭瀬敬右）
  3. ナノカーボン材料のナノシミュレーション（金沢大　斎藤峯雄）
蓄電池
  1. TEM法による蓄電池材料解析技術（名古屋大　武藤俊介）
  2. 先進電池材料の固体イオニクス界面微細構造と電池特性（京都大　岸田恭輔）
燃料電池
  1. 固体酸化物形燃料電池のその場計測技術（東北大　雨澤浩志）
  2. 固体高分子型燃料電池の電極触媒での分子解離吸着（大阪大 　W.A.Dino）

第２０回：2010.9.21-9.23（大阪 河内長野）堀史説、岩瀬彰宏（阪府大工）

　

格子欠陥による物質の機能性劣化と機能性制御

 　
  1. 結晶転位論の基礎－点欠陥と転位の相関－（九州大学　蔵元英一）
  2. 金属材料への高エネルギー粒子線損傷による格子欠陥挙動（東京大学名誉教授 (電中研)　石野栞）
  3. 転位はどのようにピン止め原子から離脱するのか（帝京科学大学　小杉俊男）
  4. 高エネルギーイオンビーム照射によるナノ磁性材料開発（大阪府立大　松井利之）
  5. 異原子価カチオンドーピングによる欠陥構造と光触媒活性の制御（東京大学　高田剛）
  6. 水素吸蔵合金LaNi5中の格子欠陥の陽電子消滅法と第一原理計算による分析・評価（大阪大学　水野正隆）
  7. 過飽和点欠陥集合体形成によるナノポーラス構造の生成（東北大学　吉見享祐）
  8. 核反応によるヘリウムと格子欠陥との相互作用（京都大学 Xu Qiu）
  9. 格子欠陥の挙動に及ぼす水素の影響（京都大学　武富紳也）
  10. 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延性破壊した高純度鉄試料中の欠陥分布評価（産総研計測フロンティア　大島永康）
  11. 巨大ひずみ加工による高密度格子欠陥の生成と特異現象（九州大学　堀田善治）
  12. 金属中の格子間原子および格子間原子集合体の一次元移動（大阪大学　荒河一渡）
  13. 高エネルギー粒子線照射による電子励起と格子欠陥（原子力研究開発機構　石川法人）
  14. カーボンナノチューブ中の格子欠陥と水素捕獲（産総研　坂本晶子）
  15. タングステン中の原子空孔への水素捕獲（九州大学　大澤一人）
  16. 第一原理計算を用いた格子欠陥の原子・電子構造と物性（産総研ユビキタス 　田中真悟）
  17. 学生ミニ討論
  18. 「特別講演」ナノマテリアルにより誘発される遺伝毒性（国立がんセンター　戸塚ゆ加里）

第19 回：2009.9.24.（九州大学筑紫キャンパス応用力学研究所）（九州大学応用力学研究所）

　

半導体格子欠陥の最前線

 　
  1. 低温超音波計測によるシリコン原子空孔評価－その物理と実用評価技術（金田寛・新潟大物質量子セ）
  2. シリコン及びグラフェンにおける固有欠陥の第１原理計算（斎藤峯雄・金沢大理工）
  3. 一方向性凝固法による結晶内の点欠陥分布の数値解析（X. J. Chen・九大応用力学研）
  4. 半導体デバイス対応のシリコンウェーハ表面および表層解析（泉妻宏治・コバレントマテリアル）
  5. (100)/(110)直接接合Si 基板の界面構造とゲッタリング（末岡浩治・岡山県立大）
  6. TEMとSEMによる微細構造解析（桑野範之・九大産学連携セ）
  7. SiGe-On-Insulator基板形成時に発生する欠陥の電気・光学的評価（中島寛・九大産学連携セ）
  8. SiC上エピタキシャルグラフェンのドメイン構造（田中悟・九大院工）
  9. 3次元アトムプローブによるMOSFET中のドーパント分布解析（井上耕治・京大院工）
  10. Si中の原子空孔とCuの相互作用に関しての陽電子消滅研究（藤浪真紀・千葉大院工）
  11. シリコン中のCu不純物 -最近のトピックスから-（白井光雲・阪大産研）

第18 回：2008.9.24.（東北大学金属材料研究所）米永一郎（東北大学）

　

欠陥研究、その明日への挑戦

 　
  1. 「21世紀の格子欠陥研究に残された課題」の出版にあたって（2002年の宿題）
    （西谷滋人・関西学院大学）
  2. タンパク質結晶の格子欠陥研究の現状（橘勝、小島謙一・横浜市立大）
  3. カーボンナノチューブの欠陥ー現状と課題（目良裕、前田康二・東京大学）
  4. 半導体ナノ結晶成長と欠陥（河野日出夫・大阪大学）
  5. 先端シリコン物性開発（深田直樹・NIMS）
  6. ナノ金属、合金の水素吸蔵特性（山内美穂・北海道大学）
  7. 液体金属脆化研究の現状（小泉太一・明治大学）
  8. ボロン、ダイヤモンド結晶における高濃度ドープによる超伝導実現：ー高圧による実現ー
    （白井光雲､出倉春彦・大阪大学）
  9. 半導体中の点欠陥の第一原理計算（西松毅・東北大学）
  10. 陽電子消滅法による半導体中の空孔型欠陥研究の現状と今後
    （井上耕治、長谷川雅幸・東北大学）
  11. GaN中転位の走査拡がり抵抗顕微鏡観察（上村祥史、枝川圭一・東京大学）
  12. 太陽電池の高効率化に向けたSiバルク多結晶の組織・欠陥制御
    （宇佐美徳隆、沓掛健太朗、藤原航海三、中嶋一雄・東北大学）
  13. 顕微鏡法を用いたナノ電子物性評価の現状と今後（大野裕・東北大学）
  14. 電子線ホログラフィーによる電磁場解析（進藤大輔・東北大学）

第17 回：2007.9.5.（東京大学）

　

Forum of Lattice Defects

 　
  1. Defect control by dislocation-impurity interaction in Si
    （I. Yonenaga・Tohoku University）
  2. Ion irradiation induced ferromagnetism in FeRh allys
    （A. Iwase・Osaka Prefecture University）
  3. Chemocal state analysis of implanted nitrogen in visible-light response TiO2 photocatalyst
    （T. Yoshida and S. Muto・Nagoya University）
  4. Destruction and creation of nanostructure of materials in extreme conditions
    （K. Niwase・Hyogo University of Teacher Education）
  5. Advanced electron microscopic characterization of nanomaterials
    （N. Tanaka・Nagoya University）
  6. Nanostructure based materials research by positron lifetime and high resolution TEM analyses
    （H. Fukushima, Z. Xu, I. Kuchiwaki, Y. Kanechika, K. Sugio and O. Yanagisawa・Hiroshima University; H. Oda and M. Azuma・Tokuyama Corporation; Y. Tanita・Mazda Motor）

第16 回：2006.9.26-28.（横浜市立大学エクステンションセンター）小島謙一，橘　勝（横浜市立大）

　

様々な物質の中で見られる格子欠陥　～金属、半導体から液晶、タンパク質まで～

 　
第１セッション：特別講演
　1）（ハリー・クロトー・フロリダ 州立大）(1996年ノーベル化学賞受賞)
第２セッション：ナノチューブ
　1）カーボンナノチューブの格子欠陥と塑性変形（末永和知・AIST）
　2）電子励起による欠陥ダイナミクスの第一原理計算：光励起 とイオン衝突（宮本良之・NEC）
第３セッション：グラファイト
　1）グラフェンにおける固有欠陥の構造・安定性・拡散（斎藤峯雄・金沢大）
第４セッション：液晶
　1）液晶のトポロジカル欠陥―ソフトな欠陥の作る秩序構造（木村康之・九大）
　2）液晶の欠陥ダイナミクス（田中肇・東大）
第５セッション：コロイド
　1）針状ヘマタイト微粒子のコロイド結晶の生成機構と欠陥（尾崎正孝・横浜市大）
第６セッション：タンパク質
　1）タンパク質結晶中の格子欠陥発生機構解明のためのアプローチ（佐崎元・東北大）
　2）タンパク質結晶の品質とその評価（新村信雄・茨城大）
第７セッション：ナノ結晶、金属、半導体
　1）電子励起によって誘起されるカーボン物質中欠陥の生成消滅と構造変化（前田康二・東大）
　2）種々の半導体の転位の運動と塑性変形（米永一郎・東北大）
　3）準結晶のフェイゾン弾性（枝川圭一・東大）
　4）3次元ナノ構造化金属で観測される特異な現象と原子集団運動（水林博，谷本久典・筑波大）
第８セッション：特別講演
　1）日本における格子欠陥研究の50年－格子欠陥物理と技術革新－（角野浩二・東北大名誉教授）

第15 回：2005.9.22-24.（琵琶レイクオーツカ）大野裕（大阪大学）、庭瀬敬右（兵庫教育大）

　

原子・電子レベルで観る格子欠陥・ナノ構造

 　
第１セッション：材料中の水素・点欠陥Ｉ
　1）陽電子消滅法による水素吸蔵合金中の格子欠陥（白井泰治・阪大工）
　2）μSR法でみるGaN中の水素に付随する浅い電子準位（下村浩一郎・KEK）
　3）放射光Ｘ線による物質中の水素の電子密度マッピング（高田昌樹・SPring8）
　4）TEM-EELS法による材料中の水素検出法の開発（武藤俊介・名大）
　5）グラファイトナノ構造の水素吸蔵機構と格子欠陥（星野公三・広大）
第２セッション：材料中の界面・転位I
　1）HRTEM-EELS法による金属複合界面の原子・電子構造（秋田知樹・産総研関西セ）
　2）HAADF-EELS法によるセラミック界面の原子・電子構造（柴田直哉・東大工）
第３セッション：材料の構造変化と格子欠陥
　1）STM観測下での電子－フォノン相互作用によるSi(001)表面・Ge(001)表面構造変換（河合伸・九大）
　2）合金の照射誘起構造変化における揺らぎ現象（渡辺精一・北大）
　3）カーボン系物質の粒子線照射・衝撃圧縮による構造変化と顕微ラマン分光（庭瀬敬右・兵庫教育大）
第４セッション：材料中の界面・転位II
　1）収差補正TEM法による半導体等界面の原子構造解析（山崎順，田中信夫・名大）
　2）TEM-CL法による窒化物半導体の転位と光学特性（山本直紀・東工大）
　3）断面STM法およびTEM-CL法による半導体界面の原子・電子構造（大野裕・阪大）
第５セッション：特別講演
　1）国友藤兵衛［一貫斎］　-近江の天才鉄砲鍛冶-（冨井洋一・京大）
第６セッション：材料中の水素・点欠陥II
　1）電子線ホログラフィー法による半導体デバイス中のドーパントプロファイリング（平山司・JFCC）
　2）GaAs中の点欠陥の選択共鳴ラマン分光（飛田聡・東工大）
　3）一軸性応力下におけるSi中水素関連欠陥の電子状態と水素運動（上浦洋一，佐藤公泰，那木拉，山下善文，石山武・岡山大）

第14 回：2004.9.30-10.2.（秋田温泉さとみ）枝川圭一（東大生研）

　

固体強度に関するモデリングとシミュレーション　－最近の発展から－

 　
　1）温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析（神藤欣一・東工大総合理工）
　2）セラミックス・半導体ナノ微粒子系の界面現象のシミュレーション（鶴田健二・岡山大工）
　3）結晶の塑性すべり変形と格子欠陥の形成・蓄積（大橋鉄也・北見工大）
　4）結晶粒界の原子・電子構造と機械的性質　－　第一原理計算と電子顕微鏡によるアプローチ（香山正憲・産総研）
　5）分子動力学による結晶材料の弾性，塑性，破壊のシミュレーション（君塚 肇・日本総研）
　6）ハイブリッド粗視化粒子-分子動力学-密度汎関数法とその応用（尾形修司・五十嵐誉廣 名工大工・科学技術振興機構）
　7）大規模電子構造計算による半導体破壊プロセスのナノメカニクス（星　健夫・東大工）
　8）転位運動に伴うradiation loss（小泉　大一・明大理工）
　9）転位ループの拡散過程とその活性化エネルギー：Line Tensionモデルの立場から（大沢一人・九大応力研）
　10）転位の自己組織化と加工硬化に関するモデリングとシミュレーション（志澤一之・慶大理工）
　11）半導体プロセスの強度問題への転位動力学・分子動力学法の応用（泉 聡志・東大工）
　12）き裂先端近傍の変形と破壊に関するマルチスケール解析（中谷 彰宏・阪大工）
　13）固体の延性・脆性の第一原理計算による評価（尾方成信・阪大工）
　14）第一原理に基づくナノ構造体の理想強度評価（梅野宜崇・京大工）

第13 回：2003.9.23-25.（鷲羽山 下電ホテル）上浦洋一（岡山大工）

　

原子・分子操作を用いた欠陥・ナノ構造の制御

 　
第１セッション：欠陥・ナノ構造の将来に向けて
　1）量子ドットの電子スピンを用いた量子コンピューティング（武藤俊一・北大院工）
　2）半導体中の不純物や欠陥を用いた量子コンピューティング（伊藤公平・慶大理工，CREST-JST）
　3）SiC中の不純物（窒素，リン，ホウ素）のスピン緩和（磯谷順一・筑波大）
第２セッション：ワイドギャップ半導体の欠陥
　1）内殻励起によるグラファイトからダイヤモンドへの物質転換（吉田博・阪大産研）
　2）ダイヤモンドの欠陥（大串秀世・産総研）
　3）III-V族半導体への希土類不純物原子レベル制御ドーピングとデバイス応用（藤原康文・阪大院工）
第３セッション：内殻励起を用いた欠陥構造解析と原子ダイナミクス
　1）グラファイトの内殻励起子生成と軟X線発生による 原子移動の観測（原田慈久・理研）
　2）凝縮系における内殻励起原子移動の動力学（田中智・阪府大総合科学）
第４セッション：ナノ構造セラミックスの粒界・界面
　1）ランダム多結晶体の粒界ネットワーク・ダイナミクス（若井史博・東工大応用セラミックス研）
　2）ナノ界面の力学物性の第一原理計算：セラミックス粒界とセラミックス／金属界面（香山正憲，田中真悟・産総研関西センター）
第５セッション：新手法による欠陥の観察と制御
　1）半導体ナノ構造の生成メカニズムとその応用の可能性：Si表面ナノホール，拡張欠陥を中心として（大野裕、竹田精治・阪大院理）
　2）ＳＴＭ金属探針直下で起こる欠陥反応（前田康二・東大院工）
特別講演
　未定（和田一実・MIT）
　備前粘土の特性（沼本一成・備前陶芸センター所長）
第６セッション：カーボン系物質中の欠陥 　1）第一原理シミュレーションで探る電子励起ダイナミクスによるナノチューブ欠陥制御（宮本良之・NEC基礎研）
　2）フッ化フラーレンの電子状態と光物性（神野賢一・和歌山大システム工）
第７セッション：Siプロセスに関連した欠陥
　1）Si結晶成長とSi熱酸化過程における欠陥の役割（影島博之・NTT物性基礎研）
　2）水素終端Si表面におけるGe吸着原子の挙動（奈良純・物材研計算材料科学研究センター）
　3）Si 結晶中の酸素における局在振動結合低エネルギー励起：拡張モデルによる全赤外吸収線の統一的説明（金田寛・富士通研ナノ電子材料研究部）

第12 回：2002.9.9-11.（下呂温泉）西谷滋人（京大工），武藤俊介（名大工），青木正人（岐阜大工）

　

21世紀の格子欠陥研究に残された課題
"The Problems of Defects Physics--- Solve them and grasp the Nature!"

 　
　1）銅単結晶の塑性変形で 転位はどこからどう入るか？（堂山昌男・帝京科学大学）
　2）２１世紀における転位論の諸問題（鈴木敬愛・東京大学名誉教授）
　　　　(指名討論者：小泉大一，枝川圭一，伊藤和博)
　3）転位論と金属強度－とくに固溶体硬化と加工硬化－（丸川健三郎・北海道大学名誉教授）
　　　　(指名討論者：蔵元英一，小杉俊男)
　4）点欠陥反応に関する重要課題の抽出（桐谷道雄・広島工業大学工学部）
　　　　(指名討論者：義家敏正，白井泰治)
　5）半導体の面欠陥（竹田精治・大阪大学理学部）
　　　　(指名討論者：桐谷道雄)
　6）実験屋から見た核生成の熱力学（奥田浩司・京都大学）
　　　　(指名討論者：藤田英一，市坪　哲)
　7）格子欠陥の第一原理計算とマテリアルデザイン（吉田博・大阪大学）
　　　　(指名討論者：篠塚雄三)
特別講演
　ヨーロッパの古いオルガンを修復して学んだこと（辻宏・辻オルガン代表）

第11 回：2001.9.15-16.（徳島）義家敏正（京大原子炉） 、跡部紘三（鳴門教育自然系）

　

高欠陥濃度状態

 　
　1）金属薄膜の転位によらない塑性変形機構とバルク金属の高速塑性変形(桐谷道雄・広工大工)
　2）転位機構によらない塑性変形による原子空孔集合体発生の変形速度・温度依存（安永和史・広工大工）
　3）金属薄膜の異常弾性変形および異常塑性変形構造の直接観察（松川義孝・広工大工）
　4）アルミニウム中の析出物を利用した金属薄膜の変形様式の検討（佐藤裕樹・京大原子炉）
　5）変形下におけるｆｃｃ 金属中の二次欠陥の挙動（荒川一渡・島根大総合理工）
　6）金属薄膜結晶の変形下における原子空孔およびその集合体の形成機構（下村義治・広工大工）
　7）高速変形下におけるFeRh合金の相変態と欠陥生成（堀史説・大阪府大先端研）
　8）Fe-Mn-Si 基形状記憶合金とAl-Al3Fe 複相材の高速変形による組織制御（佐藤彰一・東工大総合理工）
照射損傷 1
　1）酸化物・窒化物の低温照射効果（跡部紘三・鳴門教育大教育）
　2）金属間化合物Al2Au における金原子の弾き出ししきいエネルギー（森博太郎・阪大HVEM ）
半導体中の不純物
　1）SiO2中の照射欠陥--陽電子消滅法とESR--（永井康介・東北大金研）
　2）高濃度不純物添加による無転位Si結晶成長（干川圭吾・信州大学教育学部）
材料中のガス元素の挙動
　1）金属のガスバブル形成（吉田直亮・九大応力研）
　2）塑性材料表面のガスイオン照射誘起ブリスターの構造とその形成メカニズム（武藤俊介・名大総理工セ）
　3）金属-水素合金における超多量空孔生成（深井有・中央大学理）
　4）相変態と原子空孔（歪み誘起原子空孔）（白井泰治・阪大工）
照射損傷 2
　1）照射下におけるバイアス機構の基礎過程（蔵元英一・九大応力研）
　2）照射による格子欠陥の形成とその拡散挙動の分子動力学解析（曽根田直樹・電中研/東大）
　3）点欠陥集合体の一次元運動の実験的検出（義家敏正・京大原子炉）
　4）Mixing of nuclear and electronic stopping power in the formation of surface tracks in mica by fluence impact（G. Szenes・Hungary）
　5）コメント（岩瀬彰宏・原研）
スーパコンピュータと材料科学
　1）第一原理計算による格子欠陥研究の現状と将来展望（川添良幸・東北大金研）
特別講演
　吉野川とその歴史（姫野雅義）

第10回：2000.9.25-27.（新潟）原田修治（新潟大工）、前田康二（東大工）

　

第一部　これから２０年の格子欠陥研究
第二部　実空間・実時間で格子欠陥を視る

 　
第一部　これから２０年の格子欠陥研究
プロローグ
　1）点家間の陰と陽（藤田英一・阪大名誉教授）
　2）転位研究の過去と未来（竹内伸・東理大基礎工）
これから２０年あなたは何をしますか？
　1）第一原理計算で開く格子欠陥研究：電子レベルからの複雑構造、動的挙動、機械的性質の解明（香山正憲・大工技）
　2）大規模シミュレーション（大沢一人・九大応力研）
　3）電子顕微鏡から生まれる新物質（竹田精治・阪大理）
　4）高エネルギービーム照射と格子欠陥研究（岩瀬彰宏・原研）
　5）次世代半導体デバイスと格子欠陥（望月康則・NEC基礎研）
第二部　実空間・実時間で格子欠陥を視る
　1）ab-initio分子動力学計算（藤原毅夫・東大工）
　2）転位多対系のダイナミックス（小泉大一・明大理工）
　3）超短パルスレーザー出固体内原子の移動過程を観る（中村新男・名大理工科センター）
　4）超短パルス電子・X線源を用いた時分解測定（上坂充・東大原子力東海）
　5）コヒーレント局在フォノン（北島正弘・金材技研）
　6）HRTEMその場観察の最近の進展（田中信夫・名大工）
　7）３次元アトムプローブによる転位と溶質原子の相互作用の直接観察（宝野和博・金材技研）
　8）TEM-EELS（進藤太輔、村上恭和・東北大素材研、米永一郎・東北大金研）
　9）たった１個の欠陥の巣スペクトロスコピー（前田康二、飛田聡、目良裕・東大工）
　10）ナノ構造物質と結晶欠陥（谷本久典、境誠司、水林博・筑波大物質工）
特別講演
　燕の金属産業の変遷（吉原祐・東陽理化学研究所）

第9回：1999.9.21-23.（八幡平）長谷川雅幸、末澤正志（東北大金研）

　

固体中の原子ジャンプ及び拡散

 　
　1）拡散現象の物理（石岡俊也・神奈川大工）
　2）Historical Development of Diffusion Studies（小岩昌宏・京大工）
　3）点欠陥の無秩序運動および格子間原子主語謡の一次元容易運動（桐谷道雄・広工大工）
　4）非晶質合金の局所構造と結晶化プロセス（弘津禎彦・阪大）
　5）非晶質合金中の原子の集団運動（水林博・筑波大物質工）
　6）ナノ粒子における急速合金化（森博太郎・阪大超高圧電顕センター）
　7）陽電子のもう一つの選り好み：時効析出過程の研究（永井康介・東北大金研）
　8）擬弾性緩和実験による拡散の測定（沼倉宏・京大工）
　9）超高圧下での拡散：特に金属及び金属間化合物（南埜宣俊・阪大）
　10）LSI配線におけるエレクトロ・マイグレーション（岡林秀和・NEC）
　11）第一原理計算による半導体中の不純物拡散の理論（吉田博・阪大産研）
　12）分子生結晶中の拡散（小島謙一・横浜市大理）
　13）見えてきた内殻励起状態での原子移動（菅沼洋輔・阪府大工）
　14）シリコン中の鉄・アクセプター対の再結合促進分解（高橋亨・東北大金研）
　15）超イオン伝導対中の拡散（服部武志・東北大科研
　16）Bloch状態にあるミュオニウム（門野良典・高エ研）
　17）金属中水素のトンネル運動（深井有・中央大理工）
特別講演
　核融合炉材料開発における格子欠陥研究の役割（松井秀樹・東北大金研）

第8回：1998.9.22-24.（那覇）蔵元英一（九大応力研）

　

シリコン炭素系物質中の格子欠陥

 　
第１セッション：格子欠陥の基礎としての電子論
　1）電子状態計算の基礎-密度汎関数法（浅田寿生・静岡大工）
　2）結晶シリコン中でのミュオニウム/水素原子の量子分布（常行真司・東大物性研）
第２セッション：シリコン
　1）密度汎関数法に基づくシリコン中欠陥の研究（斎藤峯雄・NEC情報システムズ）
　2）シリコン関連材料中の照射欠陥と陽電子消滅（河裾厚男・原研高崎）
　3）シリコン中の水素、欠陥複合体による光吸収（末澤正志・東北大金研）
　4）Infrared Absorptions by Oxygen Impurities in Silicon Crystals: Models for the Local-Mode-Coupled Low Energy Anharmonic Excitation（金田寛・富士通ULSI開発部）
　5）立方晶シリコンカーバイト中の点欠陥の研究（伊藤久義・原研高崎）
　6）ラマン散乱法による格子欠陥の研究（Si、グラファイト等）（北島正弘・金材技研）
　7）シリコン中の水素-炭素複合体欠陥の構造と水素の運動（上浦洋一、福田和久、山下善文・岡山大工）
　8）シリコン結晶中の欠陥の電顕観察（竹田精治・阪大理）
　9）InAs/GaAsヘテロエピにおける転位形成過程のSTM観察（山口浩司・NTT基礎研）
　10）高温メスバウア分光によるSi中のFeの拡散と析出過程のその場観察（吉田豊、志村史夫・静岡理工科大）
　11）照射ガラスおよび結晶SiO2中の陽電子消滅（長谷川雅幸・東北大金研）
特別講演
　表面・界面とナノ構造の電子状態理論（塚田捷・東大理）
第３セッション：ダイヤモンド
　1）低欠陥ダイヤモンド（角谷均・住友電工）
　2）ダイヤモンド中の欠陥のESR法による研究（磯谷順一・図情大、JRCAR-NAIR）
　3）半導体の内殻励起に対する欠陥モデルの理論と原子過程（菅沼洋輔・阪府大工）
第４セッション：グラファイト
　1）グラファイトおよびダイヤモンド中の欠陥と電子状態（Zheng Tang、長谷川雅幸、嶋村健男・東北大金研）
　2）弾き出し損傷による黒鉛の空間および電子構造の変化（武藤俊介、田辺哲朗・名大理工総研）
　3）黒鉛の照射誘起アモルファス化のメカニズム（庭瀬敬右・兵庫教育大自然系）
　4）ERD法、陽電子消滅法による黒鉛中の水素と欠陥の研究（蔵元英一、佃昇、竹中稔、大窪秀明・九大応力研、鬼塚貴志・九大総理工）

第7回：1997.10.8-10.（豊中）竹田精治、平田光児（阪大理）、香山正憲（大工研）

　

格子欠陥の原子・電子描像

 　
第一セッション：点欠陥
　1）第一原理計算による金属中の格子欠陥の相互作用エネルギー（星野敏春・静岡大工）
　2）局所密度計算が予言する構造:SiO2の酸素欠陥と水素化Si表面の例（押山淳・筑波大物理）
第二セッション：点欠陥、ドーピング
　1）半導体および金属の陽電子消滅（二次元角相関）:実験と第一原理計算（長谷川雅幸・東北大金研）
　2）第一原理計算によるワイドギャップ半導体欠陥の電子状態と新しい価電子制御：同時ドーピング法（吉田博・阪大産研）
　3）単結晶シリコン中における高濃度ボロン（水島一郎、青木伸俊・東芝マイクロエレクトロニクス研、山内淳・東芝基礎研）
第三セッション：点欠陥集合体，線欠陥
　1）照射損傷発達過程における点欠陥集合体動的挙動の重要性（下村義治・広島大工）
　2）シリコンの点欠陥クラスタリング（竹田精治・大阪大理）
　3）半導体結晶中の転位の芯構造と電子状態（神藤欣一・東工大総合理工）
第四セッション：電子顕微鏡
　1）時間分解能電子顕微鏡法とその応用（長我部信行・日立基礎研）
特別講演
　カーボンナノチューブの成長（飯島澄男・NEC基礎研）
第五セッション：表面・界面
　1）Si(001)表面のＣ型欠陥（宇田毅，宮崎剛英，寺倉清之・JRCAT）
　2）第一原理計算で見たSiO2/Si界面の物理（影島博之・NTT基礎研）
　3）材料界面の第一原理計算：SiC粒界とSiC/Al界面（香山正憲・大工研）

第6回：1996.10.4-6.（山口）蔵元英一（九大応力研）

　

転位；現状と将来の展望

 　
第1セッション：結晶塑性の現状
　1）Introductory Talk（結晶塑性の現状）（竹内伸・東理大基礎工）
　2）結晶強度とパイエルス応力-転位論における虚構と妄信-（鈴木敬愛・東大研）
　3）Bordoni Peakについて（奥田重雄・茨城大工）
第2セッション：各種結晶における転位挙動（fcc、bcc、半導体結晶他）
　1）FCC合金中のSuzuki Effectの直接観察（坂公恭・名大工）
　2）FCC合金の固溶硬化（Stress Equivalenceについて）（蔵元英一・九大応力研）
　3）超高純度銅における低温内部摩擦（谷本久典・筑波大物質工）
　4）Al中の転位の緩和ピーク（小杉俊男・広大理）
　5）BCC金属中の転位のキンク対形成（鈴木敬愛・東大生研）
　6）BCCの塑性とAnomalous Slip（青野泰久・日立研、上村祥史・九大総理工、蔵元英一・九大応力研）
　7）半導体中の転位の運動（前田康二、井上雅史、兼松えりか、天清宗山、中村真奈美、目良裕・東大工、鈴木邦夫・東大物性研、竹内伸・東理大基礎工）
　8）イオン結晶中の転位の運動（小泉大一・明大理工）
　9）異常塑性の機構（竹内伸・東理大基礎工）
　10）フラーレン結晶の塑性（小島謙一、橘勝・横浜市大理）
　11）準結晶中の転位（枝川圭一・東大物性研）
第３セッション：計算機シミュレーションによるアプローチ
　1）タイト・バインデイング法による転位芯構造とパイエルス応力の計算（神藤欣一・東工大総理工）
　2）FCC金属のパイエルス応力の計算（木暮嘉明・帝京科学大物質工）
　3）格子Green関数法によるPeierls 応力の計算（大沢一人、蔵元英一・九大応力研、鈴木敬愛・東大生研）
　4）解析力学によるパイエルス応力の計算（五十嵐顕人、宗像豊哲・京大工）
　5）Dislocation Theory of Vibrational Excitations in Small Angle Grain Boundaries（l. B. Hovakimian and Shun-ichi Tanaka・Tanaka Solid Junction project, JRDC）
　6）ボンドオーダーポテンシャルによる計算（西谷滋人・京大工、青木正人・岐阜大）
特別講演
　古代の銅生産-長登銅山跡の調査から-（池田善文・山口県美東町教育委員会）

第5回：1995.9.30-10.2.（箕面）北川通治、大嶋隆一郎、堀史説、伊藤太一郎（大阪府大）

　

ナノ結晶、メゾスコピック系物質の物性と格子欠陥

 　
第一セッション：理論的アプローチ
　1）メゾスコピック系物質と光の相互作用（大淵泰司、張紀久夫・阪大基礎工）
　2）正２０面体クラスター固体における新物質探索?半導体、新超伝導物質へのアプローチ?（木村薫・東大工）
第二セッション：創製と制御
　1）結晶、準結晶およびアモルファスのナノ粒子化制御法と高機能特性（井上明久・東北大金研）
　2）量子細線の格子欠陥と特性（井上直久・大阪府大先端研）
　3）C60及びC60-C70合金薄膜の2,3の電子物性（仁田昌二、野々村修一、後藤民浩、長谷川俊一、伊藤貴司、羽淵仁恵・岐阜大工）
　4）カーボンナノチューブの合成と電子物性（秋田成司、中山喜萬・大阪府大工）
第三セッション：特性と評価
　1）金ナノ結晶材の力学的性質（谷本久典・筑波大）
　2）カーボンナノ材料の構造と機械的性質（石田洋一・東大工）
　3）結晶C60、C70の格子欠陥（武藤俊一・名大理工科学総研）
　4）Au/Ni, Au/Co人工格子中の遷移金属ナノ超薄層（中山則昭・山口大工、呉連軍、堂野前等、新庄輝也・京大化研）
　5）Cu-Au合金ナノ粒子の規則?不規則変態（唯木次男、木下哲也、中田芳幸、弘津禎彦・阪大産研）
第四セッション：応用と展望
　1）ナノメートルサイズの超微粒子における自発的合金化（森博太郎、保田英洋・阪大超高圧電顕）
　2）ナノ結晶軟磁性材料の特性と応用（吉沢克仁・日立金属）
　3）水素化処理法による異方性Nd2Fe14B系永久磁石の作成（上原稔、崔判圭、富田俊郎、富沢浩之、広沢哲、前原泰裕・住友特殊金属、住友金属）
　4）磁気冷凍へのナノコンポジットの応用の可能性（山本孝夫・大阪府大先端研）
特別講演
　古代の先端技術?巨大古墳造営の謎を探る?（宮川徒・橿原考古学研）

第4回：1994.9.5-7.（富士）吉田豊、小澤哲夫、志村史夫、藤田英一（静岡理工大）
熊川征司（静岡大電子研）長沢可也（湘南工科大工）、森永正彦（豊橋技科大）

　

点欠陥の動的挙動を中心として

 　
第一セッション：半導体の欠陥
　1）Si融液の動的特性と結晶欠陥（寺嶋一高、佐々木斉、木村茂行・新技術事業団）
　2）シリコン結晶中のリング状分布欠陥の性質と挙動（池田直紀・住友金属工業、A. Buczkowski・Siltec Silicon）
　3）InP結晶のP原子変位欠陥の熱的／電子的欠陥反応過程（安東孝止・鳥取大学、G. D. Watkins・Lehigh Univ.）
特別セッション
　Composition profile of gamma precipitates in Nimonic PE16 under heavy ion irradiation at low and high temperatures(H. Wollenberger・Hahn-Meitner-Institute Berlin)
第二セッション：結晶成長と格子欠陥
　1）Si基板上化合物半導体の結晶成長初期過程と欠陥（曽我哲夫、梅野正義・名工大）
　2）ラージミスフィット系ヘテロエピ成長と欠陥（藤村紀文、伊藤太一郎・大阪府大）
第三セッション：格子中の高速拡散
　1）トレーサー法による高速拡散の測定（中嶋英雄・岩手大）
　2）半導体中の高速拡散における対拡散機構（吉田正幸・九州芸工大）
　3）メスバウア分光による高速拡散の測定（吉田豊・静岡理工大）
第四セッション：ガラス・非晶質の点欠陥
　1）ポーラスシリコンからの発光機構についての２，３の考察（宮里達郎、比嘉勝也、丸田哲也、浅野種正・九州工大）
　2）Siイオン照射によるSiO2中の欠陥とポーラスシリコン発光帯（岩山勉・愛知教育大）
　3）石英ガラス中の欠陥とポーラスシリコン発光帯（西川宏之・東京都立大）
特別セッション：特別講演
　歴史のおもしろさ?三方原合戦の謎解き?（本田猪三郎・元静岡大学）
第五セッション：点欠陥の計算
　1）DV-Xα分子軌道法による点欠陥の研究（足立裕彦・京都大学）
　2）鉄中の点欠陥の計算（那須三郎・阪大）
　3）転位の分子動力学シミュレーション（河村雄行・東工大）
第六セッション：点欠陥のカイネティックス
　1）点欠陥の動的挙動に関する新しい話題（桐谷道雄・名古屋大）
　2）照射温度変化下の点欠陥の集合挙動（吉田直亮、徐ぎゅう・九大応力研）

第3回：1993.10.9-11.（倉敷）上浦洋一（岡山大工）

　

格子欠陥物理の新展開

 　
　1）半導体表面の欠陥構造（高柳邦夫）
　2）Si表面の回復過程（八百隆文・東北大金研）
　3）Siのホモエピタキシャル成長（栃原浩）
　4）準結晶の構造と欠陥（平賀賢二・東北大金研）
　5）人工格子の界面構造（山本良一）
　6）一次元有機導電体の欠陥（池辺誠一郎）
　7）ダイヤモンドの欠陥（大嶋隆一郎）
　8）ダイヤモンドの欠陥の光反応（西田良男）
　9）イオン結晶の欠陥生成機構（神野賢一）
　10）ガラス中の欠陥と発光（長沢加也）
　11）GaAs中DXセンターの微視的起源（斎藤峯雄）
　12）GaAs中のミュオニウム（門野良典）
　13）欠陥のパルスESR（磯谷順一）
　14）顕微学的手法による欠陥の研究（前田康二・東大工）
　15）量子井戸中の欠陥の電子状態（篠塚雄三）
　16）ポーラスSiの界面構造と発光（伊藤利道）
　17）SR光照射によるa-Siの構造変化（佐藤史郎・NHK技研）
　18）Si中の軽元素不純物（原明人）
　19）SiのSIMOX（梶山健二）

第2回：1992.9.28-30.（土浦）水林博（筑波大物質工）

　

半導体プロセスと格子欠陥

 　
第一セッション：半導体と点欠陥（主としてSi）
　1）半導体と点欠陥（堂山昌男・西東京科学大学理工）
　2）半導体の点欠陥の理論的考察（押山淳・NECエレクトロニクス研究所）
　3）Si中の軽元素不純物と超微細構造相互作用（村上浩一・筑波大物質工）
　4）X線トポグラフでみたSi中の格子欠陥（高野幸男・東理大基礎工）
　5）Siインゴットの結晶成長と格子欠陥（篠山誠二、碇敦・新日鐵エレクトロニクス研究所）
第二セッション：半導体と転位
　1）半導体と転位：これまでに判った事と今後の課題（上田修・富士通研）
　2）半導体中の転位の運動（前田康二、山下善文・東大工）
　3）Siの選択酸化と転位（磯前誠一・日立中研）
第三セッション：半導体プロセスと格子欠陥
　1）半導体プロセスと格子欠陥評価法（谷川庄一郎・筑波大物質工）
　2）イオン注入シリコンの非晶質および再結晶過程（本岡輝昭・筑波大物理工）
　3）Siエピタキシャル膜へのPの超高濃度ドーピング（山田明、賈瑛、大島隆文、小長井誠・東工大工）
　4）金属-半導体界面（伊藤利道、平木昭夫・阪大工）
　5）金属細線とエレクトロマイグレーション（日野出憲治・日立中研）
特別講演
　欠陥と私-体験的欠陥論（南日康夫・筑波大物質工）

第1回：1991.9.24-9.26.（支笏湖）本堂武夫（北大工）

　 格子欠陥21世紀の課題 　
　1）半導体の格子欠陥（角野浩二・東北大金研）
　2）第一原理計算による格子欠陥研究（小口多美夫、佐々木泰造・金材技研）
　3）結晶転位計算の将来と格子欠陥工学（神藤欣一・東工大総理工）
　4）高温超伝導体と格子欠陥（北沢宏一・東大工）
　5）半導体薄膜結晶における欠陥（井上直久・NTT LSI研）
　6）超LSIデバイスと格子欠陥（三上雅生・日本電気超LSI開発本部）
　7）シリカカガス中の発光と欠陥（長沢可也・湘南工科大工）
　8）柔軟性結晶の物性と構造（西川恵子・横浜国大教育）
　9）水素結合結晶におけるプロトン・ディスオーダーと相転移（徳永正晴・北大理）
　10）宇宙の大規模構造（池内了・国立天文台）
　11）電子線ホログラフィによる結晶構造像の観察（日立基礎研・川崎猛）
　12）高強度低速電子ビームの開発と物性への応用（伊藤泰造・東大原子力センター）
　13）新しいイオン散乱分光法(CAICISS)による表面構造のその場観察（青野正知・理研）
　14）シンクロトロン放射光による表面構造の研究（原田仁平・名大工）
　15）平面波X線トポグラフィによる格子欠陥の研究（石川哲也・東大工）
　16）シンクロトロン放射光の照射によるアモルファスシリコンの結晶化（佐藤史郎・NHK技研）